铠侠与闪迪发布第九代 2Tb QLC 3D 闪存，接口速度达 4.8Gb/s 提升 33%

IT之家 8 月 12 日消息，铠侠与闪迪今日共同宣布，推出第九代高性能 2Tb QLC 3D 闪存。该技术面向 AI 基础设施及数据密集型应用场景，旨在应对 AI 工作负载带来的存储需求增长。


第九代 QLC 技术采用了两家公司的 CMOS 直接键合阵列（CBA）架构，将先进 CMOS 晶圆与成熟的存储单元阵列平台相结合。

与前代第八代 2Tb QLC 产品相比，新技术引入了 6 平面架构及多项性能增强设计，实现了更高的写入与读取带宽，同时改善了读写功耗效率。IT之家从官方新闻稿获悉，其 NAND 接口速度达到 4.8Gb/s，较第八代器件提升了 33%。

铠侠首席技术官宫岛英史表示，随着 AI 应用从生成式 AI 向智能体和物理 AI 扩展，数据利用日趋多样化和复杂化，公司正通过将成熟的存储单元技术与最新 CMOS 技术相结合，加速第九代闪存的开发，在保持较高投资效率的同时实现高性能。

闪迪首席技术官 Alper Ilkbahar 则表示，AI 的快速普及正在加速存储接口的迭代，市场对能更快进化的存储技术需求日益增长，第九代 QLC 技术展示了 CBA 架构在分别推进 CMOS 和存储技术创新方面的灵活性。

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- 《[铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存，接口速率达 4.8Gb/s](https://www.ithome.com/0/985/707.htm)》
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