消息称长鑫正准备进入闪存市场，与三星、海力士、美光正面竞争

据路透社报道，三位知情人士透露，长鑫存储正计划进军需求激增的闪存（flash memory）市场。

消息人士称，长鑫存储打算在位于北京的新工厂里建设一条 NAND 闪存研发生产线；同时公司还在北京设立了研发机构，相关研发项目也涵盖 NAND 技术的开发。

另外，长鑫存储已经就 NAND 业务规划跟客户展开接洽，其中就包括一家新成立的初创公司——这家公司打算采购长鑫的 NAND 芯片，用于人工智能系统和超级计算机的存储产品研发与部署。

TrendForce 集邦咨询的数据显示，按营收口径算，2026 年第二季度三星电子以 29.3% 的市场份额位居全球闪存市场榜首，SK 海力士排第二，美光紧随其后。

长鑫存储这边，DRAM 内存营收在 2026 年第 2 季度达到 146.24 亿美元（按现汇率约合 983 亿元人民币），环比增幅高达 99.3%，市占率也从 2026Q1 的 7.6% 提升到了 9.5%。

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