消息称三星电子计划明年初完成先进封装技术「3D Cube-H」开发
IT之家 11 月 10 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 今日报道，三星电子已经制定计划，力争在明年初完成先进封装技术「3D Cube-H」的开发工作。
据报道，3D Cube 是一种把多颗芯片垂直堆叠起来的先进封装技术。相比传统的芯片水平排列结构，3D Cube 能在同样的面积里塞进更多晶体管。三星此前已经基于热压键合（TC Bonding）技术开发出了 3D Cube-T，目前正在研发采用混合键合（Hybrid Bonding）方案的 3D Cube-H。
3D Cube-H 的主要应用方向是超高性能 AI 芯片。如果三星能顺利搞定这项技术，**其晶圆代工业务有望拿下大客户订单**。
一位熟悉相关情况的业内人士表示：「三星电子此前一直在积极开发面向 3D 系统（逻辑）芯片的混合键合技术。公司计划在明年初完成首个设计套件，之后就会开始与潜在客户进行评估。」
三星一直在开发端子间距（Pitch）约 6 μm 的 3D Cube-H。作为对比，目前采用传统 TC 键合技术的芯片，端子间距至少也要 25 μm 左右——3D Cube-H 的间距要小得多。
另一位半导体行业人士则表示：「采用混合键合技术能够大幅提高芯片之间的连接密度，同时降低每比特能耗。散热方面，这项技术也比 TC 键合更有优势。」
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原文链接：[点击查看](https://www.ithome.com/1/024/862.htm)
据报道，3D Cube 是一种把多颗芯片垂直堆叠起来的先进封装技术。相比传统的芯片水平排列结构，3D Cube 能在同样的面积里塞进更多晶体管。三星此前已经基于热压键合（TC Bonding）技术开发出了 3D Cube-T，目前正在研发采用混合键合（Hybrid Bonding）方案的 3D Cube-H。
3D Cube-H 的主要应用方向是超高性能 AI 芯片。如果三星能顺利搞定这项技术，**其晶圆代工业务有望拿下大客户订单**。
一位熟悉相关情况的业内人士表示：「三星电子此前一直在积极开发面向 3D 系统（逻辑）芯片的混合键合技术。公司计划在明年初完成首个设计套件，之后就会开始与潜在客户进行评估。」
三星一直在开发端子间距（Pitch）约 6 μm 的 3D Cube-H。作为对比，目前采用传统 TC 键合技术的芯片，端子间距至少也要 25 μm 左右——3D Cube-H 的间距要小得多。
另一位半导体行业人士则表示：「采用混合键合技术能够大幅提高芯片之间的连接密度，同时降低每比特能耗。散热方面，这项技术也比 TC 键合更有优势。」
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