超 60% 的 V-NAND 产能给英伟达，三星加速 V9、V10 闪存布局
IT之家 7 月 22 日消息，韩媒 sedaily 于 7 月 20 日发布博文，报道称在 NAND Flash 闪存供应方面，三星正扩大和英伟达的合作，**向后者供应超过 60% 的 V-NAND（垂直 NAND）产能。**
在这方面，V-NAND 是一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构。与平面 NAND 相比，它可在相同芯片面积内容纳更多存储层，常用于企业级 SSD、数据中心存储和高容量移动存储产品。
报道指出，伴随着 AI 服务器规模扩大，临时上下文数据（Key-Value cache，也称 KV 缓存）规模持续扩大，已开始形成数据瓶颈。英伟达希望通过 Context Memory Storage（上下文内存存储，CMX）缓解这一限制，三星已经成为相关 NAND 的供应方。
英伟达目前用于 AI 服务器的 CMX 搭载 576 块 SSD，总存储容量达到 9600TB。业内预计，CMX 所需的 NAND 需求在 2026 年为 3500 万 TB，而在 2027 年将激增到 1 亿 TB 以上。
鉴于三星今年的 NAND 产量预计将达到约 2.5 亿 TB，三星计划凭借其世界一流的产能，成为英伟达 CMX 的核心供应商。
在产线规划方面，三星电子 V-NAND 产能目前每月超过 10 万片晶圆，其中 V9（286 层）占 60%，**良率已升至 80% 以上，进入量产稳定阶段**；V8 占比已降至 40% 以下，去年以来产能快速向 V9 转移。
消息称 V10 可提供更高堆叠层数，让英伟达能在同一 CMX 模块内配置更高容量 SSD，进一步承接 GPU 外溢的上下文数据。
技术路线方面，报道称，三星正研究面向英伟达 CMX 的 V11 NAND，其最高堆叠高度可达 500 层，V11 比 V10 多 100 层；V10 的存储密度较 V9（286 层）提高 50%。
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原文链接：[点击查看](https://www.ithome.com/0/979/856.htm)
在这方面，V-NAND 是一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构。与平面 NAND 相比，它可在相同芯片面积内容纳更多存储层，常用于企业级 SSD、数据中心存储和高容量移动存储产品。
报道指出，伴随着 AI 服务器规模扩大，临时上下文数据（Key-Value cache，也称 KV 缓存）规模持续扩大，已开始形成数据瓶颈。英伟达希望通过 Context Memory Storage（上下文内存存储，CMX）缓解这一限制，三星已经成为相关 NAND 的供应方。
英伟达目前用于 AI 服务器的 CMX 搭载 576 块 SSD，总存储容量达到 9600TB。业内预计，CMX 所需的 NAND 需求在 2026 年为 3500 万 TB，而在 2027 年将激增到 1 亿 TB 以上。
鉴于三星今年的 NAND 产量预计将达到约 2.5 亿 TB，三星计划凭借其世界一流的产能，成为英伟达 CMX 的核心供应商。
在产线规划方面，三星电子 V-NAND 产能目前每月超过 10 万片晶圆，其中 V9（286 层）占 60%，**良率已升至 80% 以上，进入量产稳定阶段**；V8 占比已降至 40% 以下，去年以来产能快速向 V9 转移。
消息称 V10 可提供更高堆叠层数，让英伟达能在同一 CMX 模块内配置更高容量 SSD，进一步承接 GPU 外溢的上下文数据。
技术路线方面，报道称，三星正研究面向英伟达 CMX 的 V11 NAND，其最高堆叠高度可达 500 层，V11 比 V10 多 100 层；V10 的存储密度较 V9（286 层）提高 50%。
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