忆联公布 UH812c / UH832c 企业级固态硬盘：NAND 升级，12GB/s 顺序写入
IT之家 7 月 29 日消息，忆联 (Union Memory) 近日公布了其 PCIe Gen5 企业级固态硬盘新品 UH812c / UH832c，**UH812c 为 1DWPD 寿命型号**、**UH832c 则拥有 3DWPD**。
这两款产品采用新款 NAND 闪存存储介质并进行深度调优，相较此前推出的 UH812a 系列**顺序写入提升 14%、随机写入提升 20%，4KB 随机读取时延低至 52μs**。
UH812c / UH832c **基于 3D eTLC 和忆联自研主控、自主固件**，采用 PCIe Gen5 ×4 接口，符合 NVMe 2.0 协议，支持 U.2 与 EDSFF E3.S 1T 外形规格，最大容量为 16TB 级。
UH812c / UH832c **均支持至高 14.9GB/s 的顺序写入速率和至高 12GB/s 的顺序读取速率**，其中 UH832c 随机读写速率至高可达 3500K IOPS 和 1100K IOPS；4KB QD1 顺序读写时延为 7μs / 6μs、4KB QD1 随机写入时延也都是 6μs；闲置功耗≤5W，整盘峰值功耗≤25W，顺序读取峰值功耗≤18W。
其支持 NVMe-MI 1.2b 带外管理、端到端 (E2E) 数据保护、数据安全擦除、Sanitize、256K 原子写入等特性；内置智能多流、TRIM、智能预读与命名空间流控；支持延时统计 + 慢 I/O 监控；支持固件在线升级；集成带外状态监控与资产管理。
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原文链接：[点击查看](https://www.ithome.com/0/983/269.htm)
这两款产品采用新款 NAND 闪存存储介质并进行深度调优，相较此前推出的 UH812a 系列**顺序写入提升 14%、随机写入提升 20%，4KB 随机读取时延低至 52μs**。
UH812c / UH832c **基于 3D eTLC 和忆联自研主控、自主固件**，采用 PCIe Gen5 ×4 接口，符合 NVMe 2.0 协议，支持 U.2 与 EDSFF E3.S 1T 外形规格，最大容量为 16TB 级。
UH812c / UH832c **均支持至高 14.9GB/s 的顺序写入速率和至高 12GB/s 的顺序读取速率**，其中 UH832c 随机读写速率至高可达 3500K IOPS 和 1100K IOPS；4KB QD1 顺序读写时延为 7μs / 6μs、4KB QD1 随机写入时延也都是 6μs；闲置功耗≤5W，整盘峰值功耗≤25W，顺序读取峰值功耗≤18W。
其支持 NVMe-MI 1.2b 带外管理、端到端 (E2E) 数据保护、数据安全擦除、Sanitize、256K 原子写入等特性；内置智能多流、TRIM、智能预读与命名空间流控；支持延时统计 + 慢 I/O 监控；支持固件在线升级；集成带外状态监控与资产管理。
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