无需溢价买 ULL 内存:微星推 High-Efficiency 模式,标准 EXPO 内存延迟降至 71.6 ns

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IT之家 7 月 31 日消息,微星(MSI)昨日(7 月 30 日)发布博文,宣布在标准 EXPO DDR5 内存上,通过启用 High-Efficiency 模式,**其性能可以媲美 EXPO ULL 内存。**

IT之家注:EXPO 是 AMD 推出的内存一键超频技术,专为 AM5 平台和 DDR5 内存设计,通过调整参数和时序,能够更好地契合 AMD 锐龙(Ryzen)处理器的架构特性,发挥平台最大潜力。

而 EXPO ULL 中的 ULL 代表超低延迟,在维持相同的内存频率与主要时序(如 6000 MT/s CL36)的前提下,进一步收紧 tRRD、tFAW、tWTR、tWR、tRFC 等二级和三级次要时序,从而深度压低内存的读写延迟。

微星的测试平台为:
- CPU:AMD Ryzen 7 9800X3D
- 主板:MSI B850MPOWER
- 内存:
- 2 根芝奇 [G.SKILL](https://www.g.skill.com) F5-6000A3038F16GX2-TZ5NXRK (EXPO ULL) 16GB
- 2 根芝奇 [G.SKILL](https://www.g.skill.com) F5-6000J3038F16GX2-TZ5N (Standard) 16GB
- 显卡:MSI GeForce RTX 5090 32G VANGUARD SOC
- CPU 散热器:MSI MPG CORELIQUID P13 360
- 电源:MSI MEG Ai1300P PCIE5
- 操作系统:Microsoft Windows 11 25H2

IT之家此前报道,EXPO ULL 内存首发价远超预期,[芝奇 DDR5-6000 CL28 新品溢价高达 79%](https://www.ithome.com/0/971/009.htm)。

微星在博文中表示,默认设置下,时序为 CL30-38-38-96 的标准 EXPO 内存延迟为 79.4 ns;EXPO ULL 内存延迟为 71.4 ns。
启用 High-Efficiency Mode 后,标准 EXPO 内存延迟降至 71.6 ns,接近 EXPO ULL 内存的 71.4 ns。微星称,该模式不会大幅改善 EXPO ULL 内存延迟,因此已使用 ULL 内存套装的用户无需启用。

|内存规格|延迟(未启用 High-Efficiency 模式)|延迟(启用 High-Efficiency 模式)|
|---|---|---|
|EXPO 6000 CL30-38-38-96 (Standard)|79.4ns|71.6ns|
|EXPO 6000 CL30-38-38-32 (ULL)|71.4ns|71.1ns|

该功能已纳入 MSI CLICK BIOS X,可在“Overclocking”页面找到。用户可在 Tightest、Tighter、Balance 和 Relax 共 4 档预设中选择。

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**相关阅读:**
- 《[芝奇 EXPO ULL 内存性能首测曝光,相比非 ULL 内存提升约 4%](https://www.ithome.com/0/974/933.htm)》
- 《[AMD EXPO ULL 内存首发价远超预期,芝奇 DDR5-6000 CL28 新品溢价高达 79%](https://www.ithome.com/0/971/009.htm)》

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原文链接:[点击查看](https://www.ithome.com/0/984/087.htm)

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